短短兩年內(nèi)，三星再次取得突破，開發(fā)出另一種新型通用閃存(UFS)。您將在未來的設(shè)備中看到更多的UFS4.0解決方案，它剛剛獲得了JEDEC董事會的批準。

取自三星半導(dǎo)體的推特賬號，三星表示，新的UFS4.0改進的性能和能效可以提供每通道高達23.2Gbps的速度。與UFS3.0相比，交付量提升一倍，適用于需要大數(shù)據(jù)處理負載的5G智能手機，以及AR和VR。

此外，UFS4.0可提供高達4,200MB/s的讀取速度和高達2,800MB/s的連續(xù)寫入速度。得益于三星自己先進的第7代V-NAND技術(shù)，它還能夠提供每mA6.0MB/s的順序讀取速度。這比其前身提高了46%。

最后，UFS4.0將比UFS3.0更緊湊，尺寸僅為11x13x1mm，這將為設(shè)備提供更多空間。它甚至配備了最令人印象深刻的高達1TB的空間。三星將在2022年第三季度開始批量生產(chǎn)它，所以我想我們可以期待設(shè)備在今年年底之前具備這種功能。