人們遇到具有潛在有趣電子特性的新材料時(shí)，要做的第一件事就是測量霍爾電壓。從未出現(xiàn)過比新的2-D材料爆炸更真實(shí)的事實(shí)，但是事實(shí)證明，用2-D材料制成的用于進(jìn)行霍爾電壓測量的設(shè)備經(jīng)常具有不合適的幾何形狀。這就是新南威爾士大學(xué)的亞當(dāng)·米科里奇(Adam Micolich)和他的團(tuán)隊(duì)在開始研究2-D III-V半導(dǎo)體InAs的特性時(shí)發(fā)現(xiàn)的，并意識(shí)到他們需要解決設(shè)置之間的不匹配問題他們擁有的和他們想要的設(shè)置。他告訴Phys.org：“我們認(rèn)為這一定在文獻(xiàn)中;我們不可能是第一個(gè)要糾正此問題的人，但實(shí)際上沒有任何東西。”

擁有博士學(xué)位 學(xué)生Jakob Seidl和博士后Jan Gluschke熱衷于確定2-D設(shè)備的非理想幾何形狀對(duì)Hall測量有多大影響，研究人員開始對(duì)設(shè)置進(jìn)行建模，并在2-D Hall設(shè)備上進(jìn)行了一系列艱苦的實(shí)驗(yàn)，不同的幾何形狀。他們發(fā)現(xiàn)，實(shí)現(xiàn)霍爾測量的理想幾何形狀的障礙并沒有帶來微小的誤差。實(shí)際上，測量結(jié)果通常是原來的兩倍，有時(shí)甚至是整個(gè)數(shù)量級(jí)。“而且有趣的是，在大多數(shù)情況下，這意味著人們低估了他們最看重的東西，那就是材料的流動(dòng)性，” Micolich補(bǔ)充道。“他們的材料比他們認(rèn)為的要好，他們只是看不見，因?yàn)樗鼈兊脑O(shè)置并不理想。”

二維問題

霍爾效應(yīng)是指當(dāng)磁場在材料上流過電流時(shí)所產(chǎn)生的電壓，這三個(gè)電壓都相互垂直。該霍爾電壓很好地表明了材料中電子的密度，再加上遷移率，給出了材料的整體導(dǎo)電性。

對(duì)于Micolich而言，霍爾測量形態(tài)不佳的材料是一個(gè)老問題。該小組的工作脫離了先前在III-V納米線上進(jìn)行的工作，當(dāng)時(shí)的問題是將電極連接到一個(gè)如此狹窄的設(shè)備上以測量霍爾電壓，而無需彼此接觸，然后測量在如此小的距離上產(chǎn)生的微小電壓。對(duì)于納米線而言，實(shí)際上無法獲得任何測量值的困難意味著科學(xué)家們已采取各種通常不令人滿意的解決方法來衡量電子性能。但是，隆德(Lund)的拉爾斯·薩繆爾森(Lars Samuelson)和朱利希(Julich)的托馬斯·沙珀斯(Thomas Schapers)研究小組展示了第一個(gè)獲得納米級(jí)霍爾測量所需的納米級(jí)靈活性和靈敏度的實(shí)驗(yàn)。