近年來，研究人員一直在嘗試開發(fā)新型的高性能電子設(shè)備。隨著基于硅的器件正接近其最大性能，它們最近開始探索使用替代超導(dǎo)體制造電子器件的潛力。

二維(2-D)半導(dǎo)體，例如石墨烯或二硒化鎢(WSe 2)，對于電子學(xué)的發(fā)展特別有希望。然而，不幸的是，由于這些材料的晶格內(nèi)摻入雜質(zhì)摻雜劑的空間有限(控制半導(dǎo)體材料的載流子類型和電子性能至關(guān)重要的過程)，控制這些材料的電子性能可能非常具有挑戰(zhàn)性。

加利福尼亞大學(xué)洛杉磯分校的研究人員最近設(shè)計了一種方法，可以開發(fā)由2D半導(dǎo)體制成的可編程設(shè)備。該方法發(fā)表在《自然電子》上的論文中，該方法利用碘化銀中的超離子相變，通過稱為可切換離子摻雜的過程，在由WSe 2制成的器件中調(diào)整載流子類型。

進行這項研究的研究人員之一段向峰告訴TechXplore：“我們工作的主要目標是創(chuàng)建可在中等溫度下編程并且在室溫下穩(wěn)定運行的可編程電子設(shè)備。” “我們的研究首次證明超離子材料可用于定制原子薄半導(dǎo)體的電荷載流子類型，并創(chuàng)建極性可切換的可編程電子組件，例如二極管和晶體管，它們可在室溫下穩(wěn)定運行，并且可以通過某些方式擦除環(huán)境提示。”