憶阻器存儲(chǔ)技術(shù)被吹捧為下一代邊緣計(jì)算最有希望的候選者之一，它有望使全世界的計(jì)算機(jī)發(fā)生革命性變化。由于該技術(shù)在高效的內(nèi)存計(jì)算，機(jī)器學(xué)習(xí)和神經(jīng)形態(tài)計(jì)算中的實(shí)現(xiàn)，因此在替代閃存方面引起了廣泛的關(guān)注。實(shí)現(xiàn)模型以準(zhǔn)確地預(yù)測(cè)憶阻器存儲(chǔ)技術(shù)的現(xiàn)象至關(guān)重要，因?yàn)檫@將使工程師能夠設(shè)計(jì)行為更高效的系統(tǒng)，以制造更便宜，更快的存儲(chǔ)器。

當(dāng)前，已經(jīng)報(bào)道了廣泛的實(shí)驗(yàn)和建模研究以了解傳輸過(guò)程，該過(guò)程在電流通過(guò)設(shè)備時(shí)發(fā)生。在模型仿真器中應(yīng)用了一些重要的特性(例如施加的電壓，電場(chǎng)，材料常數(shù)等)來(lái)預(yù)測(cè)此過(guò)程。借助仿真工具和先進(jìn)的觀(guān)測(cè)技術(shù)，可以通過(guò)各種模型來(lái)分析運(yùn)輸過(guò)程。

由新加坡領(lǐng)導(dǎo)的合作已成功創(chuàng)建了一個(gè)模擬器，該模擬器使用電子和熱學(xué)組件來(lái)制作“運(yùn)輸模式”。然后，團(tuán)隊(duì)使用此混合平臺(tái)來(lái)應(yīng)對(duì)內(nèi)存技術(shù)方面的長(zhǎng)期挑戰(zhàn)：許多條件下的傳輸過(guò)程。

通訊作者，SUTD的Desmond Loke助理教授說(shuō)：“我們所做的是采用一個(gè)模型的兩個(gè)不同組件，憶阻器模型，它們表現(xiàn)出彼此不同的行為。將它們放在一起，就可以創(chuàng)建一種傳輸模式準(zhǔn)確度是傳統(tǒng)模型的700倍。”

由于焦耳加熱，器件的潛在溫度升高，并產(chǎn)生電子特性的變化，例如電子的遷移率和陷阱的深度。這些變化影響憶阻器存儲(chǔ)器的傳輸行為的分析和預(yù)測(cè)。通過(guò)考慮傳輸行為的模型以及與電子遷移率和陷阱深度有關(guān)的假設(shè)，可以精確地預(yù)測(cè)憶阻器存儲(chǔ)單元的傳輸行為。此外，通過(guò)描述由一組全新的通用限流參數(shù)獲得的器件特性，可以充分考慮豐富的傳輸和開(kāi)關(guān)行為。