由伯克利實驗室材料科學(xué)系高級教授，加州大學(xué)伯克利分校物理學(xué)教授Alex Zettl領(lǐng)導(dǎo)的研究小組，開發(fā)了一種新技術(shù)，該技術(shù)可以用超薄材料制造下一代電子產(chǎn)品的超薄材料，例如可擦寫，低功耗等。存儲電路。他們的發(fā)現(xiàn)發(fā)表在《自然電子》雜志上。

研究人員使用分子鑄造廠的納米制造設(shè)備，制備了兩種不同的二維裝置，稱為范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)：一種是將石墨烯夾在兩層氮化硼之間;另一種是將石墨烯夾在兩層氮化硼之間。另一種是將二硫化鉬夾在中間。

研究人員證明，當(dāng)將細(xì)細(xì)的電子束施加到氮化硼“三明治”上時，他們可以通過控制電子束暴露的強(qiáng)度，同時適當(dāng)?shù)乜刂齐娮邮恼丈鋸?qiáng)度，來將“納米級”導(dǎo)電通道或納米電路“寫入”核心“活性”層。背柵電場。

當(dāng)將這些納米電路寫入石墨烯或二硫化鉬層時，它們可以使高密度的電子或稱為空穴的準(zhǔn)粒子在狹窄的預(yù)定軌道上以超高速積累并在半導(dǎo)體中移動，并且?guī)缀鯖]有碰撞，例如汽車在幾英寸內(nèi)的高速公路上賽車彼此不會墜毀或停轉(zhuǎn)。

研究人員還發(fā)現(xiàn)，將帶有特殊背柵的電子束重新施加到二維材料上，可以擦除已經(jīng)寫入的納米電路，或者在同一設(shè)備中寫入其他或不同的電路，這表明該技術(shù)具有巨大的潛力。下一代可重構(gòu)2D電子產(chǎn)品。

重要的是，研究人員證明，即使去除了電子束和背柵，該材料的導(dǎo)電狀態(tài)和超高電子遷移率仍然存在。伯克利實驗室材料科學(xué)部和加州大學(xué)伯克利分校的Zettl實驗室的首席科學(xué)家吳石說，這一發(fā)現(xiàn)對于許多應(yīng)用都是至關(guān)重要的，包括不需要恒定功率來保存數(shù)據(jù)的節(jié)能型非易失性存儲設(shè)備。