SK 海力士剛剛公布了其下一代 HBM3 內(nèi)存的規(guī)格，它將提供更高的傳輸速率、更大的容量和新的熱改進。

SK Hynix 表示其 HBM3 內(nèi)存將實現(xiàn)高達 665 GB/s 的帶寬、雙倍容量并提供新的散熱創(chuàng)新

在其產(chǎn)品頁面上，SK 海力士現(xiàn)在列出了一張比較表，將其當前一代 HBM2E 內(nèi)存與下一代 HBM3 內(nèi)存進行比較。根據(jù) DRAM 制造商的說法，HBM3 內(nèi)存有望實現(xiàn) 5.2 Gbps 的 I/O 速度，比現(xiàn)有的 HBM2E 內(nèi)存提高 44%。這也會導致內(nèi)存帶寬增加，SK 海力士也提供了這方面的數(shù)據(jù)。據(jù) SK Hynix 稱，HBM3 內(nèi)存將實現(xiàn)高達 665 GB/s 的原始帶寬，而 HBM2E 內(nèi)存最高可達 460 Gbps。這也比現(xiàn)有的 DRAM 提高了 44%。除此之外，SK海力士還將完善其首次在HBM2E上引入的創(chuàng)新，例如HBM3的增強散熱技術。該技術可在 -14C 較低溫度下為 HBM2E 內(nèi)存提供高達 36% 的散熱效果。我們可以期待 HBM3 提供更好的結(jié)果。

繼續(xù)，在容量方面，我們預計第一代 HBM3 內(nèi)存與 HBM2E 非常相似，后者由 16Gb DRAM Dies 組成，總共 16 GB(8-hi 堆棧)。但是，一旦 JEDEC 最終確定規(guī)范，我們可以預期 HBM3 的內(nèi)存密度會增加。對于產(chǎn)品，我們預計明年將推出一系列產(chǎn)品，例如基于下一代 CDNA 架構(gòu)的 AMD 的 Instinct 加速器、NVIDIA 的 Hopper GPU，以及基于其下一代 Xe-HPC 架構(gòu)的英特爾未來的 HPC 加速器。