大家好，我是小夏，我來為大家解答以上問題。二極管正負(fù)極判斷符號圖，二極管正負(fù)極很多人還不知道，現(xiàn)在讓我們一起來看看吧！

1、二極管有正負(fù)極。

2、二極管的特性：正向性 外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區(qū)。

3、這個不能使二極管導(dǎo)通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。

4、當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓以后，PN結(jié)內(nèi)電場被克服，二極管正向?qū)ǎ娏麟S電壓增大而迅速上升。

5、在正常使用的電流范圍內(nèi)，導(dǎo)通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極管的正向電壓。

6、當(dāng)二極管兩端的正向電壓超過一定數(shù)值，內(nèi)電場很快被削弱，特性電流迅速增長，二極管正向?qū)ā?/p>

7、叫做門坎電壓或閾值電壓，硅管約為0.5V，鍺管約為0.1V。

8、硅二極管的正向?qū)▔航导s為0.6~0.8V，鍺二極管的正向?qū)▔航导s為0.2~0.3V。

9、2、反向性外加反向電壓不超過一定范圍時，通過二極管的電流是少數(shù)載流子漂移運(yùn)動所形成反向電流。

10、由于反向電流很小，二極管處于截止?fàn)顟B(tài)。

11、這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流，二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。

12、一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級，小功率鍺管在μA數(shù)量級。

13、溫度升高時，半導(dǎo)體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。

14、（1）擊穿外加反向電壓超過某一數(shù)值時，反向電流會突然增大，這種現(xiàn)象稱為電擊穿。

15、引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。

16、電擊穿時二極管失去單向?qū)щ娦浴?/p>

17、如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向?qū)щ娦圆灰欢〞挥谰闷茐?，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢?fù)，否則二極管就損壞了。

18、因而使用時應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過高。

19、二極管是一種具有單向?qū)щ姷亩似骷?，有電子二極管和晶體二極管之分，電子二極管因?yàn)闊艚z的熱損耗，效率比晶體二極管低，所以現(xiàn)已很少見到，比較常見和常用的多是晶體二極管。

20、二極管的單向?qū)щ娞匦?，幾乎在所有的電子電路中，都要用到半?dǎo)體二極管，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生最早的半導(dǎo)體器件之一，其應(yīng)用也非常廣泛。

21、二極管的管壓降：硅二極管（不發(fā)光類型）正向管壓降0.7V，鍺管正向管壓降為0.3V，發(fā)光二極管正向管壓降會隨不同發(fā)光顏色而不同。

22、主要有三種顏色，具體壓降參考值如下：紅色發(fā)光二極管的壓降為2.0--2.2V，黃色發(fā)光二極管的壓降為1.8—2.0V，綠色發(fā)光二極管的壓降為3.0—3.2V，正常發(fā)光時的額定電流約為20mA。

23、二極管的電壓與電流不是線性關(guān)系，所以在將不同的二極管并聯(lián)的時候要接相適應(yīng)的電阻。

24、（2）特性曲線與PN結(jié)一樣，二極管具有單向?qū)щ娦浴?/p>

25、硅二極管典型伏安特性曲線（圖）。

26、在二極管加有正向電壓，當(dāng)電壓值較小時，電流極??；當(dāng)電壓超過0.6V時，電流開始按指數(shù)規(guī)律增大，通常稱此為二極管的開啟電壓；當(dāng)電壓達(dá)到約0.7V時，二極管處于完全導(dǎo)通狀態(tài)，通常稱此電壓為二極管的導(dǎo)通電壓，用符號UD表示。

27、對于鍺二極管，開啟電壓為0.2V，導(dǎo)通電壓UD約為0.3V。

28、在二極管加有反向電壓，當(dāng)電壓值較小時，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。

29、當(dāng)反向電壓超過某個值時，電流開始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。

30、不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏。

31、3、反向擊穿（1）齊納擊穿反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。

32、在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu)，使價電子脫離共價鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。

33、如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。

34、（2）雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。

35、當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對。

36、新產(chǎn)生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。

37、無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結(jié)永久性損壞。

本文到此講解完畢了，希望對大家有幫助。